Samsung начинает выпуск первой в мире трехмерной NAND-памяти

Компания Samsung Electronics объявляет о начале массового производства первой в индустрии NAND флэш-памяти с трехмерной структурой упаковки чипа и вертикальным расположением ячеек. Новинка позволяет преодолеть существующие ограничения масштабируемости энергонезависимой памяти. 3D V-NAND с выгодным соотношением производительности и размера будет применяться в широком спектре потребительской электроники и корпоративных приложений, в том числе встраиваемой NAND-памяти и твердотельных накопителях (SSD).

Новинка позволяет преодолеть существующие ограничения масштабируемости энергонезависимой памяти

Первый чип Samsung V-NAND объёмом 128 Гбит использует технологию 3D Charge Trap Flash (CTF), обеспечивающую большую надёжность работы и одновременно позволяющую снизить стоимость чипов флэш-памяти по сравнению с классическими ячейками с плавающим затвором, а также технологию многослойной компоновки с вертикальными внутричиповыми соединениями.

«Новая технология 3D V-NAND является результатом многолетних разработок наших специалистов. Целью Samsung было выйти за рамки традиционных способов мышления и преодолеть существующие ограничения в создании упаковки полупроводниковой памяти с помощью инновационных решений, – говорит Чжон-Хек Чой (Jeong-Hyuk Choi), старший вице-президент направления флэш-памяти и технологий компании Samsung Electronics. – Наряду с запуском производства первой в мире 3D V-NAND флэш-памяти мы продолжим представлять новые 3D V-NAND устройства с улучшенной производительностью и более высокой плотностью. Это поспособствует дальнейшему росту мировой индустрии продуктов памяти».

В течение последних 40 лет флэш-память создавалась на основе плоских однослойных структур с ячейками с плавающим затвором. Однако после освоения процесса производства с топологическим размером 10-нм масштаба возникла необходимость в новых технологических решениях, поскольку интерференция между соседними ячейками приводила к снижению надежности NAND-памяти. Попытки решить возникающие проблемы в рамках классических технологий влекла за собой увеличение времени разработки и стоимости чипов памяти.

Новинка V-NAND решает эти технические проблемы, выходя на новый уровень разработки и производства чипов NAND-памяти благодаря инновациям в структуре, схемотехнике и производственном процессе. Для этого Samsung обновила разработанную в 2006 году технологию 3D Charge Trap Flash. В CTF-конструкции электрический заряд (определяющий хранящиеся в ячейке памяти данные) временно помещается в специальную изолированную область ячейки из непроводящего нитрида кремния (SiN) вместо используемого в классических технологиях плавающего затвора полевого транзистора для предотвращения интерференции между соседними ячейками памяти.

Благодаря трехмерной структуре слоев в CTF-конструкции удалось значительно повысить надежность и скорость памяти. Новая 3D V-NAND не только демонстрирует увеличение надежности от 2 до 10 раз, но и вдвое повышает скорость записи по сравнению с обычной NAND-памятью с плавающим затвором, также изготовленной по процессу 10-нм класса.

Кроме того, одним из наиболее важных технологических достижений Samsung V-NAND является вертикальная компоновка ячеек, позволяющая объединить до 24 слоев в одном чипе памяти. При этом специальная технология травления позволяет сформировать вертикальные проводящие каналы, соединяющие слои от верхнего до нижнего. Новая вертикальная структура поможет Samsung выпускать NAND флэш-память более высокой емкости за счет увеличения числа 3D-слоев ячеек вместо дальнейшего наращивания площади чипа, приводящего к непропорциональному росту трудозатрат на его производство.

За 10 лет исследований 3D NAND с вертикальной компоновкой ячеек Samsung запатентовала более 300 технологий производства 3D-памяти по всему миру. С первой полностью функциональной 3D NAND флэш-памятью компания усилила свою конкурентоспособность и ускорила рост отрасли в целом, а также создала основу для производства более продвинутых продуктов, включая чипы NAND флэш-памяти с емкостью 1 Тбит.

Согласно данным ISuppli IHS, показатель доходов мирового рынка NAND флэш-памяти возрастет от $23,6 млрд. в 2013 году и до $30,8 млрд. к концу 2016 года при среднегодовом темпе роста в 11%.

09.08.2013, 1434 просмотра.

Поиск на сайте

Новости компаний, релизы

Четыре способа не выдохнуться при поиске работыЧетыре способа не выдохнуться при поиске работы
Ходунки для пожилых людейХодунки для пожилых людей
Как инновации влияют на стоимость велосипедаКак инновации влияют на стоимость велосипеда
Параметры выбора чекового принтераПараметры выбора чекового принтера
Возобновилась серия Баксанских международных школ «Частицы и космология»Возобновилась серия Баксанских международных школ «Час
Пишите