От Nokia к микросхемам: как Тампере снова сделает Финляндию великой

Финляндия стремится стать европейским лидером в области полупроводников, а регион Тампере занимает центральное место в этой деятельности благодаря Центру компетенции по финским микросхемам, экспериментальной линии SiPFAB и Платформе проектирования ЕС, поддерживаемой тесным сотрудничеством и квалифицированной рабочей силой.

Финляндия решительно взялась за реализацию закона ЕС о микросхемах, создав мощную национальную сеть сотрудничества для развития полупроводниковой промышленности. Стратегия объединяет университеты, корпоративных экспертов и государственных деятелей для создания платформы роста для полупроводникового бизнеса. В рамках этой стратегии регион Тампере играет важную роль.

Г-н Петри Рясянен, директор программы «Чипы из Тампере» в компании Business Tampere, считает национальное сотрудничество ключевым фактором, обеспечивающим быстрое развитие северной страны.

Рясянен сказал:

Опыт региона Тампере в области полупроводников основан на наследии разработки сложных интегральных схем и оптоэлектроники. В Эспоо компания Kvanttinova использует исследовательский опыт VTT и Университета Аалто, особенно в области материаловедения и обработки кремния. Оулу может похвастаться сильной историей в области радиотехнологий, а в Йоэнсуу компания Photonics Finland фокусируется на специализированных оптических и фотонных знаниях. Каждая область важна, и вместе мы добьемся успеха.

Динамичная трансформация полупроводникового сектора в Тампере проявляется в трех параллельных инициативах. Университет Тампере создает экспериментальную линию SiPFAB для гибридной интеграции и упаковки; национальный центр компетенции по микросхемам (FiCCC) начал свою работу в начале 2025 года со штаб-квартирой в Тампере; и, наконец, Платформа проектирования ЕС прокладывает путь к лидерству Европы в области полупроводниковых технологий при значительном вкладе SoCHUB.

FiCCC: Открыт Финский центр компетенции по микросхемам

FiCCC — это национальный и европейский центр для экспертов, объединяющий компании и профессионалов, работающих в области полупроводниковых технологий. Штаб-квартира центра находится в Тампере, а точки доступа — в Эспоо, Оулу и Йоэнсуу.

FiCCC получил финансирование от ЕС в размере 8 млн евро с целью поддержки компаний в развитии их опыта и создании новых сетей сотрудничества. Координационный офис FiCCC в Тампере только начал свою работу, первые сотрудники появились в начале января. Координационный офис является членом консорциума, созданного Европейской сетью центров компетенции по микросхемам (ENC).

FiCCC сосредоточится на укреплении европейской базы знаний в двух взаимосвязанных областях компетенции, где Финляндия обладает наилучшими возможностями для внесения вклада на европейском уровне. К ним относятся:

• Высокопроизводительное энергоэффективное проектирование сложных систем-на-кристалле.
• Специализированные процессы производства и интеграции, включая квантовые технологии, МЭМС, радиочастотную и оптоэлектронику, полупроводники с широкой полосой пропускания (SiC и GaN), технологии ALD и MBE.

SiPFAB: фокусировка на обратной стороне производства полупроводников

Передовая упаковка и микросхемы играют все более важную роль в полупроводниковых технологиях и вертикальных приложениях. Пилотная линия System-in-Package Университета Тампере будет посвящена этим темам и сфокусирована на развитии конечных этапов производства полупроводников, включая интеграцию, упаковку и тестирование. SiPFAB, являясь партнером пилотной линии EU WBG, будет заниматься интеграцией и тестированием энергоэффективных полупроводников третьего поколения и соответствующих гибридных чип-систем для различных отраслей промышленности.

Этот проект стоимостью 40 млн евро и современная чистая комната площадью 1 300 м² заложат основу для сотрудничества в области исследований и разработок в сфере передовой упаковки по всей Европе.

Платформа проектирования позволяет проводить НИОКР для начинающих производителей микросхем и малых предприятий

В полупроводниковом бизнесе бесфабричные компании имеют все возможности для того, чтобы стимулировать технологический прогресс и удовлетворять потребности различных приложений. Платформа проектирования ЕС предоставит компаниям доступ к передовым технологиям проектирования микросхем через облачную платформу EDA и тем самым укрепит опыт и бизнес ЕС в области проектирования микросхем.

SoC HUB из Университета Тампере является скандинавским партнером в проекте стоимостью 25 млн евро по разработке основ платформы проектирования. Платформа также будет способствовать стартапам и небольшим компаниям, которые начнут заниматься проектированием с помощью создаваемых групп по содействию проектированию.

Почему Тампере может стать настоящим полупроводниковым хабом

Помимо тесного сотрудничества на национальном уровне и в рамках ЕС, Петри Рясянен отмечает в качестве преимущества Тампере наличие высокообразованных кадров. Этот кадровый резерв отчасти создан благодаря наследию Nokia.

Из 8 000 инженеров-разработчиков микросхем, работающих в ЕС, более 500, или около 6%, работают в Тампере. Значительная часть высокотехнологичных полупроводниковых разработок Nokia находится в Тампере. Кроме того, в Тампере расположены подразделения Microsoft и Nordic Semiconductors, одной из ведущих европейских компаний по оказанию услуг в области проектирования. В то же время Университет Тампере стратегически заинтересован в развитии кадрового потенциала как крупнейший вуз в области проектирования микросхем в Финляндии.

В Тампере также сформировался мощный кластер компаний, производящих и применяющих фотонные системы, сложные полупроводники III-V и лазерные технологии, который часто называют «Лазерной долиной». Среди компаний, входящих в этот кластер, — Modulight, Schott, Coherent, Optofidelity и Vexlum, активно работающие на мировом рынке.

Тампере неоднократно признавался самым привлекательным городом Финляндии, поэтому будущее полупроводникового региона выглядит многообещающим. В ближайшие годы ожидается значительный спрос на квалифицированных специалистов.

Ранее ученые заявили, что нашли, чем заменить кремний в полупроводниках.

08.02.2025