Самосборные монослои создают p-n переходы в графеновых пленках

Электронные свойства графеновых пленок напрямую зависят от характеристик подложек, на которых они выращены или на которые помещены.

Исследователи использовали это преимущество в создании p-n переходов, перемещая пленки из многообещающего электронного материала на подложки, сформированные из компонентов, которые являются либо сильными электронными донорами, либо акцепторами.

Низкотемпературный контролируемый и стабильный метод был разработан для легирования графеновых пленок с помощью самосборных монослоев, которые модифицируют интерфейс графена и его поддерживающую подложку. С помощью данной концепции группа ученых из технологического института Джорджии создала графеновые p-n переходы, которые важны для производства устройств, без повреждения решетчатой структуры материала или существенного сокращения подвижности электронов/дыр.

Графен был выращен на медной пленке методов химического парового отложения, процесса, который позволяет производить синтез крупноразмерных пленок и их перемещение на желаемые подложки для последующего применения. Графеновые пленки перемещались на подложки из диоксида кремния, которые работают с самособирающимися слоями.

Результаты исследования и разработки опубликованы в изданиях Applied Materials & Interfaces и Journal of Physical Chemistry C.

26.12.2012