Химическое изменение графена - шаг к лучшей электронике

Ученые разрабатывают новый способ окисления многообещающего графена.

Исследователи из Северо-западного университета работают над новым методом химического изменения графена для создания более быстрой, тонкой и гибкой электроники.

Графен — углеродная решетка сотовидной формы в 1 атом толщиной — обладает исключительной прочностью и проводимостью. Многие эксперты полагают, что графеновая электроника способна конкурировать с кремнием, преобразуя интегральные схемы и приводя к ультрабыстрым компьютерам, сотовым телефонам и связанным портативным электронным устройствам.

Но сначала ученым необходимо узнать, как настроить электронные свойства графена, и это совсем не так легко, как могло бы показаться, учитывая основную проблему материала. В отличие от полупроводников, таких как кремний, чистый графен — материал с нулевой запрещенной зоной, то есть в нем нельзя прервать электрический ток. Именно потому графен не подходит для создания интегральных схем.

Чтобы преодолеть эту проблему и сделать графен функциональнее, исследователи со всего мира изучают методы химического изменения материала. Самая распространенная стратегия — метод Хаммерса, разработанный в 1940-х годах, который предусматривает окисление графена сильными кислотами, которые повреждают графеновую решетку.

Ученые из школы Маккормика университета недавно разработали новый метод окисления графена без косвенного ущерба метода Хаммерса. Их процесс обратим, что делает возможной дальнейшую настройку получающихся свойств химически измененного графена.

Результаты опубликованы в издании Nature Chemistry.

20.02.2012