Тоньше некуда: один слой атомов и море возможностей для электроники

Максим Наговицын29.06.2025628

Представьте материал, который тоньше волоса в 100 000 раз, но способен преобразить электронику — и теперь его научились выращивать почти без затрат.

Тоньше некуда: один слой атомов и море возможностей для электроники
Многослойный SnS превращается в одноатомный слой за счет термического возгонки. Источник: Kazuki Koyama et al.

Группа ученых из Университета Тохоку, Национального института квантовой науки и технологий (QST) и Кембриджского университета придумала, как получить оловянный сульфид (SnS) — перспективный материал для компактной электроники. Их метод позволяет создавать ультратонкие пленки толщиной в один атом. Технология безопасна, дешева и может ускорить внедрение SnS в производство.

SnS интересен тем, что проводит ток и реагирует на свет необычным образом, — объясняет Макото Кода (Университет Тохоку). — Наш подход упрощает изучение этих свойств, а они критичны для создания быстрых и энергоэффективных компьютеров.

Спин-влейтроника — передовая область, где используют два свойства электронов: спин (вращение) и «долину» (особое состояние энергии). SnS идеально подходит для таких задач, но его синтез сложен: вместо нужного SnS часто получается SnS₂, как если бы повар перепутал ингредиенты. Чтобы избежать ошибок, ученые разработали контролируемый процесс.

Решение оказалось элегантным: нагрев серы и олова в определенных условиях позволяет выращивать чистые кристаллы SnS на обычных кремниевых пластинах. Компьютерное моделирование показало, что при малом количестве серы образуется SnS, а при избытке — SnS₂. Эксперимент подтвердил это: перемещая источник серы ближе или дальше от олова, ученые управляли реакцией. Затем с помощью микроскопии они наблюдали, как верхние слои испаряются, оставляя мономолекулярную пленку.

ПараметрЗначение
Толщина пленки SnS 1 атом (≈0.3 нм)
Температура синтеза 300–500°C
Сырье Олово (Sn), сера (S)
Применение Гибкая электроника, фотоника

Наш метод ускорит изучение SnS и откроет новые физические эффекты, — говорит Кода.

Объединив три направления — сегнетоэлектрики, спинтронику и влейтронику, — исследователи приблизили эру устройств, где свет и спин электронов заменят традиционные схемы.

Результаты опубликованы в издании Nano Letters.

SnS может стать основой для:

  • Сверхбыстрой памяти — его свойства позволяют хранить данные не зарядами, а спинами электронов, что ускорит работу в разы.
  • Гибкой электроники — монопленки SnS можно наносить на любые поверхности, включая пластик.
  • Фотоники — материал эффективно преобразует свет в сигналы, полезно для датчиков и оптических чипов.

Главный плюс метода — дешевизна. Если традиционные полупроводники требуют дорогих редкоземельных металлов, то олово и сера доступны.

Метод пока лабораторный: авторы не показали, как масштабировать производство. Например, неясно, будет ли качество пленок одинаковым на больших пластинах. Также SnS окисляется на воздухе — потребуются защитные покрытия, что усложнит технологию.

Ранее ученые назвали 34 технологии, которые изменят мир.

Подписаться: Телеграм | Дзен | Вконтакте


Нано

Поиск на сайте

Лента новостей

Пресс-релизы