Создан простой и эффективный метод улучшения работы пентаценовых тонкопленочных транзисторов

Органические тонкопленочные транзисторы привлекают большое внимание благодаря потенциально широкому применению.

Они, например, могут применяться в гибких дисплеях, RFID-метках и датчиках.

Пентаценовые тонкопленочные транзисторы, в которых для вводящего заряд металла обычно используются золотые электроды, особенно привлекательны вследствие большой мобильности и высокого соотношения включения и выключения (свыше 105), особенно если сравнивать с аморфными кремниевыми тонкопленочными транзисторами.

И хотя некоторый многообещающий прогресс был достигнут, пороговое напряжение пентаценовых тонкопленочных транзисторов все еще слишком высоко для практических применений. Один из методов для сокращения порогового напряжения подразумевает замену обычно используемого основания из дикосида кремния (SiO2) с диэлектриком, обладающим высокой диэлектрической константой.

Как бы то ни было, использование последних способно сократить мобильность носителя заряда вследствие высокого диполярного расстройства интерфейса, в дополнение к значительной утечке тока и низкой диэлектрической силе. До сих пор сокращение порогового напряжения пентаценовых тонкопленочных транзисторов было еще большей проблемой, особенно с учетом необходимости поддержания высокой мобильности. Но теперь ученые изобрели простое и недорогое решение: проблему решает внедрение тончайшего (2 нанометра) слоя металлического фталоцианина между золотыми электродами и активным пентаценовым слоем.

Результаты исследования опубликованы в издании SCIENCE CHINA Technological Sciences.

30.03.2012