Терагерцовые импульсы увеличивают электронную плотность тысячекратно

Результаты демонстрируют прогресс в разработке транзисторов и солнечных батарей.

Ученые из университета Киото объявили о прорыве в сфере полупроводниковых устройств. Результаты, опубликованные в издании Nature Communications, могут привести к разработке ультрабыстрых транзисторов и высокоэффективных солнечных батарей.

Работая со стандартным полупроводниковым материалом (арсенид галлия, GaAs) ученые отметили, что подвергание образца импульсам электрического поля с терагерцовым диапазоном вызывает дальнейшие взрывы лавины электронно-дырочных пар (экситонов). Этот одноцикловый импульс продолжительностью 1 пикосекунду (десять в минус двенадцатой степени секунд), привел к 1000-кратному увеличению плотности экситона во сравнению с начальным состоянием образца.

«Терагерцовый импульс подвергает образец интенсивному электрическому полю 1 мв/см²», пояснил доцент Хидеки Хирори. «Полученную лавину экситонов можно подтвердить ярким, околоинфракрасным свечением».

«Поскольку терагерцовые волны чувствительны к воде, наша цель создать микроскоп, который позволит нам заглянуть внутрь клеток в реальном времени», сказал ведущий исследователь профессор Коичиро Танака. «Наши результаты использования полупроводников являются полностью отличной областью науки, и все же они показывают богатый потенциал, лежащий в исследованиях терагерцовых волн».

21.12.2011