Ультрабыстрый лазерный импульс проливает свет на неуловимый механизм сверхпроводимости
Международная группа ученых использовала ультрабыстрый лазерный импульс для идентификации микроскопических взаимодействий, стимулирующих высокотемпературную сверхпроводимость.
В ходе эксперимента электроны в прототипном сверхпроводнике из оксида меди были взволнованы экстремально короткими 100-фемтосекундными лазерными импульсами.
Результаты опубликованы в издании Science.
Поскольку электроны в материале вновь вернулись к равновесному состоянию, они выделили энергию лишь через деформацию атомной решетки сверхпроводника (фононы) или пертурбацию ее магнитных корреляций (спиновые флуктуации).
Ученые сумели получить весьма четкие данные относительно скорости процесса релаксации и его влияния на свойства системы сверхпроводимости, показывая, что высокая критическая температура этих компонентов может достигаться за счет обычных электронных (магнитных) процессов.
«Новая технология предлагает нам оптимальный взгляд на взаимодействия, управляющие формированием неуловимых свойств сверхпроводимости как в течение времени, так и за счет широкого спектра характерных энергий», сказала доцент Андреа Дамасцелли из университета Британской Колумбии.
Результаты опубликованы в издании Science.
Поскольку электроны в материале вновь вернулись к равновесному состоянию, они выделили энергию лишь через деформацию атомной решетки сверхпроводника (фононы) или пертурбацию ее магнитных корреляций (спиновые флуктуации).
Ученые сумели получить весьма четкие данные относительно скорости процесса релаксации и его влияния на свойства системы сверхпроводимости, показывая, что высокая критическая температура этих компонентов может достигаться за счет обычных электронных (магнитных) процессов.
«Новая технология предлагает нам оптимальный взгляд на взаимодействия, управляющие формированием неуловимых свойств сверхпроводимости как в течение времени, так и за счет широкого спектра характерных энергий», сказала доцент Андреа Дамасцелли из университета Британской Колумбии.
30.03.2012
