Новый четырехмерный транзистор - прообраз будущих компьютеров

Новый тип транзистора, сформированного как рождественская ель, появится как раз к праздникам, однако прототип не будет лежать под елкой наряду с другими подарками.

«Это прообраз того, что ожидает полупроводниковую промышленность», сказал профессор Пейде „Питер“ Йе из университета Пурдю.

Ученые из Гарварда и университета Пурдю создали транзистор из материала, способного заменить кремний в ближайшее десятилетие. Каждый такой транзистор содержит три крошечных нанопровода, изготовленных не из кремния, как обычно, а из материала под названием арсенид индия галлия. Три нанопровода прогрессивно меньше, а в поперечном клиновидном сечении напоминают хвойное дерево, рождественскую ель.

Исследование основано на предыдущей работе, в ходе которой ученые создали трехмерную структуру вместо обычных плоских транзисторов. Подход мог позволить ученым создавать более быстрые, компактные и эффективные интегральные схемы и более легкие ноутбуки, генерирующие меньше тепла. Новые результаты показывают, как можно улучшить работу устройства, соединяя транзисторы параллельными вертикалями.

„В одноэтажный дом можно вместить много людей, но с каждым этажом их число можно увеличить вдвое. То же касается транзисторов“, сказал Йе. „Их укладка приводит к более актуальной и намного более скоростной оперативности для быстродействующих вычислений. Добавляется целое измерение, и потому мы назвали новинку четырехмерным транзистором“.

Результаты будут представлены в ходе международной конференции по электронным устройствам, которая пройдет с 8 по 12 декабря 2012 года в Сан-Франциско.

06.12.2012